TSM2N7000KCT A3G
Numer produktu producenta:

TSM2N7000KCT A3G

Product Overview

Producent:

Taiwan Semiconductor Corporation

Numer części:

TSM2N7000KCT A3G-DG

Opis:

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92

Magazyn:

12892493
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
tyRI
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

TSM2N7000KCT A3G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Podstawowy numer produktu
TSM2N7000

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
2N7000TA
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
2N7000TA-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
2N7000-D74Z
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
27687
NUMER CZĘŚCI
2N7000-D74Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.09
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
2N7000-D26Z
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14242
NUMER CZĘŚCI
2N7000-D26Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
taiwan-semiconductor

TSM026NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM9409CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM170N06CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251

taiwan-semiconductor

TSM3481CX6 RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26